首页  »»  产品中心  »»  CMOS电源管理芯片

选择
产品型号
PDF文件
视频
工作频率
(GHz)
工作漏压
(V)
增益
(dB)
输入功率
(dBm)
输出功率
(dBm)
附加效率
(%)
工作模式
外形尺寸
(mm)
封装模式
小信号增益
(dB)
动态电流
(A)
使用条件
类型
隔离度
(dB)
驻波比
开关时间
(ns)
控制方式
最高频率
(MHz)
驱动器位数
输入电平
输出电平
输入驻波
P-1
(dBm)
驻波
移相位数
移相精度
(°)
插入耗损
(dB)
幅度均衡
(dB)
驱动电压
时延量
精度
延迟精度
步进
(dB)
衰减精度
衰减范围
(dB)
补偿衰减范围
耐功率
(dBm)
中频宽带
(GHz)
变频耗损
(dB)
LO/RF隔离
(dB)
相位噪声
(dBc/Hz)
限幅电平
(dBm)
承受功率
(W,连续波)
接收增益
(dB)
发射增益
(dB)
固定移相度
(°)
调制深度
(dB)
电路形式
移相范围
电容值
(pF)
宽度
(W)
长度
(L)
厚度
(T)
耐压
额定工作电压
(V)
电容公差
(%)
标准阻值
(Ω)
最大承受电流
(A)
静态电流
(mA)
控制端
延时量
带载能力
输出步进
封装尺寸
(mm)
功能描述
噪声系数
(dB)
OIP3
(dBm)
电源
(V/mA)
详细规范号
替代型号
功率
(W)
控制电压
(V)
中心插损
(dB)
1dB通电
(GHz)
阻带衰减
(dB)
通带插损典型值
(dB)
幅度不平衡度
(°)
相位不平衡度
(°)
通带频率
(GHz)
带外衰减
(dB)
陷波中心频率
(GHz)
阻带带宽
(BW3dB)
阻带带宽
(bw20dB)
交叠点损耗
(dB)
通带插损
(dB)
回波损耗
(dB)
带外抑制
(dBc)
均衡量
(dB)
位数
(bit)
最大延时量
(ps)
控制电平
(V)
中心频率
(MHz)
通带带宽BWxdB
(MHz)
阻带抑制
(dBc)
带宽
(MHz)
插入损耗
(dB)
截止频率
(MHz)
增益平坦度
(dB)
输入/输出回波损耗
(dB)
P-1dB
(dBm)
Psat
(dBm)
调谐电压
2 次谐波
(dBc)
倍频次数
谐杂波抑制@DC-50GHz
(dBc)
本振功率
(dBm)
插损平坦度
(dB)
耦合度
(dB)
耦合平坦度
(dB)
均方根误差
(o)
附加相移
(o)
LO-IF隔离度
(dB)
RF-IF隔离度
(dB)
噪声系数
(TYP.dB)
噪声系数
(Max.dB)
输入回波
(dB)
输出回波
(dB)
最小值
(长、宽)
最大值
(长、宽)
公称值
(长、宽)
公称值
(厚度)
BW761 1.96×2.30×0.15 500/2000 将TTL电平转换成CMOS电平,提供独立的双路输出,分别可提供最 3~12 Q/AT 24879-2018
BW763 2.33×2.38×0.15 - 边沿触发,功率PMOSFET驱动器;12-32V输入,VDD-1 12~32 Q/AT 23631-2018
BW760 2.33×2.38×0.15 - 电平触发,功率PMOSFET驱动器;12-32V输入,VDD-1 12~32 Q/AT23712-2016
BW747 1.10×0.80×0.15 ±50 为放大器提供栅端电压,带载能力为±50mA;芯片有五位控制位,控 -5 Q/AT24409-2017
BW748 1.10×0.80×0.15 ±100 为放大器提供栅端电压,带载能力为±100mA;芯片有四位控制位, -5 Q/AT24410-2017
BW749 1.40×1.20×0.15 250 用于放大器漏极电源调制。待机控制位有效时,输入TTL信号,输出相 5~10 Q/AT24411-2017
BW755 2.10×1.30×0.15 400 用于放大器漏极电源调制。待机控制位有效,输入TTL信号,输出相同 5~10 Q/AT25049-2018
BW756 1.10×1.30× - 功率PMOSFET驱动器;输入TTL信号,输出0~VDD驱动信号 5~8 Q/AT25050-2018
BW752 2.40×2.40×0.15 - 功率PMOSFET驱动器。负压使能有效时,输入TTL信号,输出V 12~48 Q/AT24600-2017
BW753 2.40×3.20×0.15 - 功率PMOSFET驱动器,同时集成功放栅压偏置功能;负压使能有效 12~48 Q/AT24599-2017
BW751 1.10×0.80×0.15 - 功率PMOSFET驱动器;输入TTL信号,输出0~VDD驱动信号 5~8 Q/AT25051-2018
BW763SM5 SM5 - 边沿触发功率PMOSFET驱动器,12-32V输入,VDD-10 12~32 Q/AT23547-2015
BW760SM5 SM5 - 电平触发功率PMOSFET驱动器,12-32V输入,VDD-10 12~32 Q/AT24601-2017


推荐产品