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(GHz)
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(dB)
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(GHz)
阻带带宽
(BW3dB)
阻带带宽
(bw20dB)
交叠点损耗
(dB)
通带插损
(dB)
回波损耗
(dB)
带外抑制
(dBc)
均衡量
(dB)
位数
(bit)
最大延时量
(ps)
控制电平
(V)
中心频率
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通带带宽BWxdB
(MHz)
阻带抑制
(dBc)
带宽
(MHz)
插入损耗
(dB)
截止频率
(MHz)
增益平坦度
(dB)
输入/输出回波损耗
(dB)
P-1dB
(dBm)
Psat
(dBm)
调谐电压
2 次谐波
(dBc)
倍频次数
谐杂波抑制@DC-50GHz
(dBc)
本振功率
(dBm)
插损平坦度
(dB)
耦合度
(dB)
耦合平坦度
(dB)
均方根误差
(o)
附加相移
(o)
LO-IF隔离度
(dB)
RF-IF隔离度
(dB)
噪声系数
(TYP.dB)
噪声系数
(Max.dB)
输入回波
(dB)
输出回波
(dB)
最小值
(长、宽)
最大值
(长、宽)
公称值
(长、宽)
公称值
(厚度)
BW116 0.1~4 1.38×0.85×0.1 45 0/+5 SPDT吸收式 Q/AT 22515-2012 - 20 0.6 28
BW1026D 0.1~4 2.20×2.00×0.1 45 0/+5 SP4T吸收式 拟制中 - 20 1 21
BW1032D 0.1~4 1.38×1.00×0.1 40 0/+5 SPDT吸收式 Q/AT 24934-2018 - 18 0.7 25
BW117 0.1~6 0.70×0.68×0.1 40 0/+5 SPDT反射式 拟制中 HMC240 20 0.3 26
BW111 0.1~6 1.35×1.16×0.1 65 0/-5 SPDT吸收式 Q/AT 22268-2011 - 20 0.8 28
BW112 0.1~6 1.06×1.25×0.1 50 0/-5 SPDT反射式 拟制中 - 20 0.6 25
BW1024D 0.1~6 1.00×1.00×0.1 35 0/+5 SPDT反射式 Q/AT 24431-2017 - 20 0.5 25
BW1009D 0.1~6 0.76×0.90×0.1 45 电流驱动 SPST吸收式 Q/AT 24543-2017 - 15 0.6 23
BW124 0.1~10 2.05×1.50×0.1 50 内置3:8译码 SP8T吸收式 拟制中 HMC322 15 2.2 22
BW118 0.1~12 1.16×0.78×0.1 40 0/-5 SPDT反射式 拟制中 - 25 0.7 23
BW1029D 0.1~12 1.80×1.80×0.1 50 内置2:4译码 Y型反射式 Q/AT 24826-2018 - 18 2 25
BW119 0.1~15 1.27×0.83×0.1 40 0/-5 SPDT反射式 拟制中 - 25 1.2 22
BW127 0.1~15 2.05×1.10×0.1 60 0/-5 SPDT 吸收式 Q/AT 24171-2016 HMC607 20 1.4 25
BW1027D/1028D 0.1~20 1.60×1.95×0.1 40 内置2:4译码 SP3T反射式 Q/AT 24700-2017 - 20 1.8 18
BW110 0.1~20 1.05×0.84×0.1 50 0/-5 SPST 吸收式 Q/AT 22180-2011 - 25 1.5 28
BW1017D 0.1~20 1.10×0.95×0.1 40 0/+5 SPST 吸收式 Q/AT 23775-2015 - 15 1.4 25
BW113 0.1~20 1.30×0.85×0.1 50 0/-5 SPDT 吸收式 Q/AT 22415-2012 HMC347 20 1.5 20
BW121/122 0.1~20 1.92×1.60×0.1 45 内置2:4译码 SP4T 吸收式,镜像设计 Q/AT 22537-2012 HMC641 17 2 20
BW1023D 0.1~20 1.44×1.00×0.1 50 0/+5 SPDT 吸收式 Q/AT 24430-2017 - 15 2 25
BW114 0.1~30 1.40×0.94×0.1 30 0/-5 SPDT 反射式 Q/AT 22520-2012 - 20 1.5 25
BW143 0.1~30 1.60×0.93×0.1 45 电流驱动 GaAs PIN,SPST反射式 Q/AT 24811-2017 - 18 0.5 30
BW144 0.1~30 1.30×1.08×0.1 45 电流驱动 GaAs PIN,SP4T反射式 拟制中 MA4SW410 23 0.6 23
BW125 0.1~35 1.18×1.43×0.1 35 内置2:4译码 SP4T 反射式 Q/AT 22737-2013 HMC245 13 2.5 18
BW1013D 0.1~35 1.20×1.45×0.1 30 电流驱动 SP4T 反射式 Q/AT 24544-2017 - 15 3 15
BW129 0.1~40 1.00×0.72×0.1 30 0/-5 SPDT 反射式 Q/AT 22807-2013 HMC986 15 2.2 17
BW1030D/1031D 0.4~0.7 1.50×1.45×0.1 45 内置2:4译码 SP4T反射式 Q/AT 24701-2017 - 20 0.4 33
BW1021D/1022D 2~12 2.00×2.00×0.1 40 内置2:4译码 SP4T反射式 Q/AT 24637-2017 - 15 2 29
BW145 2~18 1.80×1.80×0.1 48 电流驱动 GaAs PIN,SP3T反射式,内置偏置 Q/AT 23574-2015 MA4SW310B 20 0.7 22
BW147 2~18 1.73×1.28×0.1 45 电流驱动 GaAs PIN,SPDT反射式,内置偏置 拟制中 MA4SW210B 14 0.8 24
BW142 4~26 1.35×0.69×0.1 55 电流驱动 GaAs PIN,SPST反射式,内置偏置电路、隔直电容 拟制中 - 22 0.4 30
BW141 6~24 1.59×1.00×0.1 50 电流驱动 GaAs PIN,SPDT反射式,内置偏置电路 拟制中 - 15 0.8 23
BW140 10~24 1.87×1.31×0.1 50 电流驱动 GaAs PIN,SPDT反射式,内置偏置电路 拟制中 HMC970 20 1.2 34
BW1003 11~17 2.00×1.50×0.1 40 0/-5 SPDT 反射式 Q/AT 24527-2017 - 17 0.9 35
BW133 20~40 1.77×0.80×0.1 25 0/-5 SPDT 反射式 拟制中 - 15 1.4 21
BW1047 0.1~6.0 1.8×1.0×0.1 32 0/ -28 GaN SPDT ,10W功率 20 0.5 40
BW1044 0.1~8.0 1.6×1.4×0.1 50 0/ -28 GaN SPDT ,10W功率 20 0.9 40
BW137 8.0~12.0 2.00×2.10×0.1 35 0/ -28 GaN SPDT ,10W功率 20 0.6 40
BW1048 8.0~12.0 2.00×2.35×0.1 37 0/ -28 GaN SPDT ,20W功率 20 0.7 43
BW138 8.0~12.0 2.00×2.35×0.1 30 0/ -28 GaN SPDT ,40W功率 16 0.8 45
BW1043 8.0~12.0 2.00×2.10×0.1 35 0/ -28 GaN SPDT ,40W功率 18 0.75 46
BW135 12.0~18.0 2.0×1.8×0.1 36 0/ -28 GaN SPDT ,10W功率 17 0.85 40
BW136 6.0~18.0 2.4×1.9×0.1 35 0/ -28 GaN SPDT ,10W功率 15 1 40
BW1047 0.1~6 1.8×1.0×0.1 32 0/-28 GaN SPDT ,10W功率 拟制中 20 0.5 40
BW1044 0.1~8 1.6×1.4×0.1 50 0/-28 GaN SPDT ,10W功率 拟制中 20 0.9 40
BW1040 0.1~18 1.6×1.2×0.1 35 0/-28 GaN SPDT ,5W功率 拟制中 20 1.6 37
BW1041 1~5 2.4×1.6×0.1 40 0/+28 GaN SPDT ,20W功率正电,吸收式 Q/AT 24077-2017 15 1.1 43
BW136 6~18 2.4×1.9×0.1 35 0/-28 GaN SPDT ,10W功率 Q/AT 24415-2018 15 1 40
BW137 8~12 2.0×2.1×0.1 35 0/-28 GaN SPDT ,10W功率 拟制中 20 0.6 40
BW1048 8~12 2.0×2.35×0.1 37 0/-28 GaN SPDT ,20W功率 拟制中 20 0.7 43
BW138 8~12 2.0×2.35×0.1 30 0/-28 GaN SPDT ,40W功率 拟制中 16 0.8 46
BW1043 8~12 2.0×2.1×0.1 35 0/-28 GaN SPDT ,40W功率 拟制中 18 0.75 46
BW135 12~18 2.0×1.8×0.1 36 0/-28 GaN SPDT ,10W功率 拟制中 17 0.85 40
BW111 0.1~6.0 1.38×1.16×0.1 65 0/-5 GaAs开关 SPDT反射式 20 0.8 28
BW112 0.1~6.0 1.06×1.25×0.1 50 0/-5 GaAs开关 SPDT反射式 20 0.6 25
BW118 0.1~12.0 1.16×0.78×0.1 40 0/-5 GaAs开关 SPDT反射式 25 0.7 23
BW113 0.1~20.0 1.30×0.85×0.1 50 0/-5 GaAs开关 SPDT 吸收式 20 1.5 20
BW129 0.1~40.0 1.00×0.72×0.1 30 0/-5 GaAs开关 SPDT 反射式 15 2.2 17
BW1033 32.0~38.0 1.00×1.70×0.1 20 0/-5 GaAs开关 SPDT 反射式 18 1.2 28
BW117SM3 0.1~6 SM3 35 0/+5 GaAs开关 SPDT反射式 Q/AT23371-2014 HMC221B 17 0.5
BW117SM3B 0.1~6 SM3B 35 0/+5 GaAs开关 SPDT反射式 Q/AT24081-2018 封装不同 17 0.5
BW111DSM4 0.1~6 SM4 50 -5V+TTL GaAs开关 SPDT吸收式,内置驱动 Q/AT25025-2018 - 17 1.5
BW121PQ4 0.1~12 PQ4 35 -5V+TTL GaAs开关 SP4T吸收式,内置2:4译码器 Q/AT24945-2018 - 15 1.8
BW113DPQ4 0.1~14 PQ4 45 -5V+TTL GaAs开关 SPDT吸收式,内置驱动 Q/AT24945-2018 - 15 1.8
BW119DPQ4 0.1~14 PQ4 40 -5V+TTL GaAs开关 SPDT反射式,内置驱动 Q/AT24945-2018 - 15 1.5
BW110SM3B 0.1~18 SM3B 40 0/-5 GaAs开关 SPST吸收式 Q/AT24192-2016 - 15 2
BW113SM3B 0.1~18 SM3B 40 0/-5 GaAs开关 SPDT吸收式 Q/AT24193-2016 - 15 1.8
BW129PQ3 0.1~22 PQ3 35 0/-5V GaAs开关 SPDT反射式 Q/AT25082-2018 HMC347LP3E 15 1.8
BW110DSM4 0.1~12 SM4 60 -5V+TTL GaAs开关 SPST吸收式,内置驱动 Q/AT23458-2015 - 15 2
BW110DSM4M 0.1~12 SM4M 60 -5V+TTL GaAs开关 SPST吸收式,内置驱动 Q/AT24191-2016 - 15 2
BW121SM4 0.1~12 SM4 40 -5V+TTL GaAs开关 SP4T吸收式,内置2:4译码器 Q/AT25025-2018 HMC641LC4 HMC641LP4E 15 3.5
BW113DSM4M 0.1~10 SM4M 40 -5V+TTL GaAs开关 SPDT吸收式,内置驱动 Q/AT25026-2018 15 2.3
BW110SM3BM 0.1~15 SM3BM 50 0/-5V GaAs开关 SPST吸收式 Q/AT23840-2016 15 2
BW113SM3BM 0.1~16 SM3BM 45 0/-5V GaAs开关 SPDT吸收式 Q/AT25027-2018 HMC347C8 HMC347G8 HMC347LP3封装不同 15 2
BW116DPQ4 0.1~4 PQ4 45 +5V+TTL GaAs开关 SPDT吸收式,内置驱动 Q/AT24945-2018 - 15 0.8
BW1026DPQ5 0.1~4 PQ5 45 +5V+TTL GaAs开关 SP4T吸收式,内置驱动 Q/AT24946-2018 20 1.2
BW1032DPQ4 0.1~4 PQ4 45 +5V+TTL GaAs开关 SPDT吸收式,内置驱动 Q/AT24945-2018 15 1
BW116DSM4M 0.1~4 SM4M 44 +5V+TTL GaAs开关 SPDT吸收式,内置驱动 Q/AT25026-2018 12 1
BW1024DSM3M 0.1~6 SM3M 36 +5V+TTL GaAs开关 SPDT吸收式,内置驱动 Q/AT25083-2018 15 0.6
BW1023DPQ4 0.1~12 PQ4 45 +5V+TTL GaAs开关 SPDT吸收式,内置驱动 Q/AT24945-2018 - 15 1.8
BW1027DPQ4 0.1~18 PQ4 40 -5V+TTL GaAs开关 SP3T反射式,内置2:4译码器 Q/AT24945-2018 - 15 1.8
BW1030DPQ4 0.4~0.7 PQ4 45 -5V+TTL GaAs开关 SP4T反射式,内置2:4译码器 Q/AT24945-2018 - 22 0.5
BW1021DSM4M 2~12 SM4M 30 -5V+TTL GaAs开关 SP4T反射式,内置2:4译码器 Q/AT25026-2018 - 15 1.7
BW1022DSM4M 2~12 SM4M 30 -5V+TTL GaAs开关 SP4T反射式,内置2:4译码器 Q/AT25026-2018 - 15 1.7
BW1003PQ4 11~17 PQ4 42 0/-5V GaAs开关 SPDT反射式 Q/AT24945-2018 - 15 1.3


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